收藏本站
Si5475BDC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 8 0 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73381 .
www.vishay.com
6
Document Number: 73381
S-83054-Rev. D, 29-Dec-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5480DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5481DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5482DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5484DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5485DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5475DC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8
SI5475DC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8
SI5475DC-T1 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475DDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5476DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET